14 나노 기반 저전력 D램으로 서버·고성능컴퓨팅시장 진입
‘고속 입출력 신호 개선 설계’로 통신 신호 노이즈 최소화
삼성전자는 퀄컴 최신 플랫폼에서 극자외선(EUV) 기술이 적용된 14나노 기반 LPDDR5X D램 8GB 패키지 동작 속도를 검증했다.
지난 3월 퀄컴과 협력해 7.5Gbps를 검증한 지 7개월만에 8.5Gbps를 구현하고 LPDDR5X D램의 도입 범위를 모바일 뿐만 아니라 다양한 응용처로 넓혀갈 수 있게 됐다.
초저전력을 목표로 만든 모바일용 DDR D램인 'LPDDR D램'은 모바일 시장을 넘어 서버, 고성능 컴퓨팅(HPC), 전장(Automotive) 등 다양한 분야로 급격하게 성장하고 있으며 향후 인공지능(AI), 메타버스(Metaverse) 등으로 시장이 더욱 확대될 전망이다.
최근 PC 시장에서는 패키지 크기는 작으면서도 고성능, 저전력 특성을 갖춘 메모리가 요구되고 있어 LPDDR D램 사용이 늘어나고 있으며 데이터센터 등 서버 시장에서도 LPDDR D램을 활용할 경우 데이터를 처리하는 데 소요되는 전력과 에너지를 감소시킬 수 있어 총 ‘소유 비용(TCO, Total Cost of Ownership)’을 줄일 수 있다.
또한 전장 분야에서도 센서를 통해 수집되는 대용량 데이터의 빠른 처리가 중요해짐에 따라 LPDDR D램이 주목받고 있다.
삼성전자 LPDDR5X D램의 8.5Gbps 동작 속도는 이전 세대 제품인 LPDDR5의 동작 속도 6.4Gbps 대비 1.3배 빠르다.
삼성전자는 LPDDR5X D램에 메모리와 모바일AP 간 통신 신호 노이즈 영향을 최소화하는 핵심 회로 설계 기술인 '고속 입출력 신호 개선 설계'를 적용했다.
삼성전자 관계자는 “D램을 모바일 등 제품에 탑재해야 하기 때문에 상용화 시기를 콕 집어서 언급하기 어렵다”며 “반도체 활용 제품 제조사에서 (상용화) 얘기를 해야 한다”고 언급했다.
소비자경제신문 문재호 기자
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