[소비자경제신문=하유진 기자] SK하이닉스가 세계 최초로 HBM3를 개발해 HBM 시장 1위의 입지를 굳건히 했다는 소식이다.

빅데이터, 챗GPT 등 인공지능(AI) 서비스 열풍이 거세지며, 이를 지원하는 고성능 반도체 기술 경쟁도 날로 치열해지고 있다.

이런 가운데 SK하이닉스는 잇따라 기술 한계를 넘어서며 고부가가치, 고성능 제품에서 경쟁 우위를 확보하고 있다. 대표적인 제품이 바로 HBM이다.

세계 최초로 HBM3를 개발하고 양산에 성공한 SK하이닉스는 기존 제품과 동일한 크기로 더 많은 용량을 제공하는, 세계 최초 12단 적층 HBM3 24GB 패키지를 개발하고, AMD 등 고객사에 샘플을 제공하며 다시 한 번 이 분야 기술 리더십을 굳건히 했다.

SK하이닉스의 12단 HBM3는 제품 안에 적층되는 D램 칩의 개수를 8개(기존 16GB 제품)에서 12개로 늘려 용량을 50% 높인 제품이다.

이를 통해 SK하이닉스는 현존 최대 용량 24GB를 구현하면서도, 전체 높이(제품 두께)는 16GB 제품과 동일하게 유지했다. 기존과 동일한 공간 안에서 더 많은 데이터 처리가 가능한 솔루션을 제공할 수 있게 된 것이다.

두께를 유지하면서 용량(적층수)을 높이기 위해 D램 칩을 40% 얇게 만들어 위로 한 개씩 쌓아야 되는데, 이 경우 칩이 쉽게 휘어지는 등 문제가 발생한다. 이에 개발진은 개선된 에폭시 밀봉재(EMC)와 새로운 적층 방식을 활용한 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 기술을 적용해 기술 한계를 극복했다.

SK하이닉스는 현재 다수 글로벌 고객사에 샘플을 제공해 성능 테스트를 진행 중이며, 상당히 긍정적인 반응을 얻고 있다.

SK하이닉스 DRAM상품기획 김왕수 PL은 “이 제품을 통해 SoC(System on Chip) 업체들은 시스템 안에 추가 공간을 확보할 필요 없이 동일 크기의 제품으로 1.5배의 용량 상승 효과를 얻을 수 있다”며, “많은 고객사가 우리 기술력에 높은 신뢰를 보이고 있고, 회사는 올해 하반기부터 신제품 공급을 시작할 것”이라고 밝혔다.

권 PL은 “어드밴스드 MR-MUF를 통해 기존 MR-MUF의 장점을 고스란히 살리면서, 생산성은 약 3배, 열 방출은 약 2.5배 끌어올렸다”고 강조했다.

품질과 신뢰성을 확보하기 위해 테스트에 공을 들인 것도 성공 요인이었다고 전했다.

WLP FE개발 양주헌 PL은 “칩과 칩 사이를 잇는 범프만 수십만 개나 된다”며, “하나하나 테스트를 거듭해 최적의 접합 조건을 찾아냈고, 불량을 최소화했다”고 밝혔다.

마지막으로 성형수 PL은 “한번도 가보지 않았던 길을 가는 것은 언제나 두려움을 느끼게 하지만, 목표에 도달했을 때의 기쁨은 더욱 배가 된다”며, “세계 최초로 12단 HBM3을 개발한 데 자부심을 느낀다”고 소감을 전했다.