작년 발표한 반도체 비전 2030 일환
하이엔드 모바일과 EUV 공정 확대
평택공장 2021년 하반기 본격 가동

삼성전자 평택캠퍼스 항공사진. 사진=삼성전자
삼성전자 평택캠퍼스 항공사진

삼성전자가 21일 극자외선(EUV) 기반 최첨단 제품 수요 증가에 맞춰 경기도 평택에 반도체 위탁생산(파운드리) 시설을 구축한다고 발표했다. 이재용 부회장이 지난해 4월 반도체 분야 세계 1위를 달성하기 위해 반도체 비전 2030을 발표한 데 따른 조치다. 삼성전자는 2030년까지 반도체 분야에 133조원을 투자할 예정이다. 

글로벌 파운드리 시장은 5G, HPC, AI, 네트워크 등 신규 사용처 확산에 따라 초미세 공정 중심의 성장을 지속하고 있다. 삼성전자는 프리미엄 모바일 칩을 필두로 하이엔드(고화질 이미지의 시각 효과) 모바일 기기 및 첨단 EUV 공정 적용을 확대하는 중이다. EUV 공정은 파운드리 미세공정 한계 극복에 필수적인 기술로 7나노 이하부터 적용된다. 나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는데, 선폭이 좁을수록 소비전력이 감소하고 처리 속도를 향상시킬 수 있다.

삼성전자는 2018년 2월 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작한 이후, 2020년 V1 공장 라인을 통해 초미세 공정 생산 규모를 지속 확대해 왔다. 또한 이달 평택 파운드리 라인 공사에 착수했으며, 2021년 하반기부터 본격 가동할 계획이다. 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산 규모는 더욱 가파르게 증가할 전망이다. 삼성전자는 생산성을 더욱 극대화한 5나노 제품을 올해 하반기에 화성에서 먼저 양산한 뒤, 평택 파운드리 라인에서도 주력 생산할 예정이다.

증권가와 업계에서는 올해 10조원 안팎의 투자가 이뤄질 것으로 보고, 양산이 시작되면 파운드리 1위 업체인 TSMC와의 경쟁이 본격화될 것으로 보고 있다. 현재 삼성전자의 파운드리 분야 시장점유율은 18%에 그쳐 TSMC(54%)에는 크게 밀리지만, 평택캠퍼스 파운드리 시설을 발판으로 2030년 1위에 오르기 위한 싸움에 나설 것이라는 관측이다.

삼성전자 DS부문 파운드리사업부 정은승 사장은 "5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것"이라고 밝혔다.

소비자경제신문 권찬욱 기자

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